Propriedades Eletrônicas do Grafeno investigada pelo modelo Tight Binding

Resumo

Alguns estudos teóricos são desenvolvidos a partir da resolução da equação de Schrodinger e de outra forma, utiliza-se o teorema de Bloch para descrever o movimento dos elétrons em um potencial específico, resolvendo o Hamiltoniano adequadamente. Aplica-se um potencial simétrico e esférico, que resulta em uma estrutura de bandas de energia para os elétrons da rede cristalina. No entanto, há determinado formalismo teórico cuja investigação das propriedades eletrônicas sejam válidas apenas para estruturas simétricas. Neste trabalho, mostra-se o desenvolvimento de um formalismo analítico que permite estudar qualque material com determinada simetria , desde uni (1D) e bidimensionais (2D), usando Tight Binding Model (TB) para investigação das propriedades eletrônicas. Nesse sentido foi usado o teorema de Bloch e a estrutura recíproca do vetor de ondas de um determinado material cristalino, com geometria espacial confinada à Primeira Zona de Brillouin. A solução da equação de Schrodinger independente do tempo foi aplicada a uma destas estruturas, a do grafeno, para examinar suas propriedades eletrônicas. A aplicação do modelo TB apresentou resultados importantes, como a obtenção dos seis pontos de Dirac para o grafeno, que são regiões de estudos para o entendimento de suas propriedades de condução eletrônica.